0102453 - FZU-D 20040504 RIV CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence.
[Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova Univerzita v Brně, 2003, s. 18-19.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./. Brno (CZ), 23.06.2003-25.06.2003]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: thin strained quantum well * InAs * GaAs * TE * TM * polarisation * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0009802