0100691 - FZU-D 20040414 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Dohnalová, Kateřina - Luterová, Kateřina - Valenta, J. - Buršík, J. - Procházka, M. - Křesálek, V. - Hönerlage, B. - Pelant, Ivan
Grains of porous silicon embedded in SiO₂: Studies of optical gain and electroluminescence.
[Zrna porézního křemíku zabudovaná v SiO₂: Studium optického zisku a elektroluminiscence.]
Solid State Phenomena. 99-100, - (2004), s. 31-36. ISSN 1012-0394
Grant CEP: GA ČR GP202/01/D030; GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT ME 486
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: silicon nanocrystals * porous silicon * optical gain * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.461, rok: 2004

We have performed a detailed study of optical gain in layers of density packed Si nanocrystals in SiO₂, prepared on the basis of porous Si, using the variable-stripe-length method in combination with the shift-excitation-spot method. Preliminary reports on transport and electroluminescence measurements in thin films of SiO₂ doped with porous Si grains, prepared by spin-coating technique, are also discussed

Provedli jsme detailní studium optického zisku ve vrstvách těsně uspořádaných Si nanokrystalů v SiO₂, připravených na bázi porézního křemíku, za použití kombinace VSL a SES metod. Jsou také diskutovány předběžné výsledky transportních a elektrolumiscenčních měření v tenkých vrstvách SiO₂ dopovaného zrny porézního křemíku, vyrobeného metodou spin-coating
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0008187