Počet záznamů: 1
Microcrystalline silicon thin films studied by atomic force microscopy with electrical current detection
- 1.
SYSNO ASEP 0100521 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Microcrystalline silicon thin films studied by atomic force microscopy with electrical current detection Překlad názvu Tenké vrstvy mikrokrystalického křemíku studované mikroskopií atomových sil s detekcí elektrických proudů Tvůrce(i) Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 92, č. 1 (2002), s. 587-593Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova amorphous silicon ; microcrystalline silicon Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd IAB2949101 GA AV ČR - Akademie věd GA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace The growth of .mu.c-Si:H on various substrates [NiCr, device quality, and laser annealed amorphous silicon (a-Si:H)] was studied in ultrahigh vacuum by atomic force microscope using a conductive cantilever which enabled simultaneous measurement of morphology and local current with lateral resolution below 5 nm Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1