0100474 - FZU-D 20040330 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Remeš, Zdeněk - Uzan-Saguy, C. - Baskin, E. - Kalish, R. - Avigal, Y. - Nesládek, M. - Koizumi, S.
Photo-Hall effect measurements in P, N and B-doped diamond at low temperatures.
[Měření foto-Hallova jevu v P, N a B dopovaném diamantu při nízkých teplotách.]
Diamond and Related Materials. Roč. 13, - (2004), s. 713-717. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
GRANT EU: European Commission(XE) HPRN-CT-1999-00139
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: diamond film * n-type doping * electrical properties characterization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.670, rok: 2004

Resistivity and Hall effect measurements are applied to understand the electronic properties of homoepitaxially grown n- and p-type CVD diamond in the wide temperature range 10-900K. To overcome the high dark resistivity at low temperature, carrier concentration is enhanced by photo-excitation

Měření odporu a Hallova jevu byli použity ke studio elektronických vlastností homoepitaxně rostlých CVD diamantových vrstev typu n a p
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007976