- Magnetization relaxation in (Ga, Mn)As ferromagnetic semiconductors
Počet záznamů: 1  

Magnetization relaxation in (Ga, Mn)As ferromagnetic semiconductors

  1. 1.
    SYSNO ASEP0100451
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevMagnetization relaxation in (Ga, Mn)As ferromagnetic semiconductors
    Překlad názvuRelaxace magnetizace v e feromagnetickém (Ga,Mn)As
    Tvůrce(i) Sinova, J. (US)
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Liu, X. (US)
    Sasaki, Y. (US)
    Furdyna, J. K. (US)
    Atkinson, W. A. (CA)
    MacDonald, A. H. (US)
    Zdroj.dok.Physical Review B - ISSN 0163-1829
    Roč. 69, č. 8 (2004), 085209/1-085209/6
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovamagnetization relaxation ; ferromagnetic semiconductors
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/02/0912 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z1010914 - FZU-D
    AnotaceWe describe a theory of Mn local-moment magnetization relaxation due to p-d kinetic-exchange coupling with the itinerant-spin subsystem in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As alloy
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2005
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.