The charge collection in single side silicon microstrip detectors
1.
SYSNO ASEP
0100348
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
The charge collection in single side silicon microstrip detectors
Překlad názvu
Sběr náboje v jednostranných křemíkových mikrostripových detektorech
Tvůrce(i)
Eremin, V. (RU) Böhm, Jan (FZU-D) Roe, S. (CH) Ruggiero, G. (CH) Weihammer, P. (CH)
Zdroj.dok.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier
- ISSN 0168-9002
Roč. 500, 1-3 (2003), s. 121-132
Poč.str.
12 s.
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
NL - Nizozemsko
Klíč. slova
silicon ; microstrip detectors ; signal formation ; charge collection
Vědní obor RIV
BF - Elementární částice a fyzika vys. energií
CEP
RP-4210/69 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
CEZ
AV0Z1010920 - FZU-D
Anotace
The transient current technique has been used to investigate signal formation in unirradiated silicon microstrip detectors, which are similar in geometry to those developed for th ATLAS experiment at LHC
