Počet záznamů: 1
In-plane magnetic field-dependent magnetoresistance of gated asymmetric double quantum wells
- 1.
SYSNO ASEP 0100326 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název In-plane magnetic field-dependent magnetoresistance of gated asymmetric double quantum wells Překlad názvu Magnetorezistence dvojitých kvantových jam s hradlem v paralelním magnetickém poli Tvůrce(i) Krupko, Yuriy (FZU-D)
Smrčka, Ludvík (FZU-D) RID, ORCID
Vašek, Petr (FZU-D) RID
Svoboda, Pavel (FZU-D)
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Jansen, L. (FR)Zdroj.dok. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. - : Elsevier - ISSN 1386-9477
Roč. 22, - (2004), s. 44-47Poč.str. 4 s. Akce International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems /15./ Datum konání 14.07.2003-18.07.2003 Místo konání Nara Země JP - Japonsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova double-layer two-dimensional electron system ; magnetotransport ; gate voltage Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/01/0754 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace We have investigated experimentally the magnetoresistance of strongly asymmetric gated double wells Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1