Počet záznamů: 1
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
- 1.
SYSNO 0100043 Název Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures Překlad názvu Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách Tvůrce(i) Mačkal, Adam (FZU-D)
Hazdra, P. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)Zdroj.dok. Workshop 2003. s. 446-447. - Praha : ČVUT, 2003 Konference Workshop 2003, Praha, 10.02.2003-12.02.2003 Druh dok. Konferenční příspěvek (tuzemská konf.) Grant IAA1010318 GA AV ČR - Akademie věd CEZ MSM 212300014 Jazyk dok. eng Země vyd. CZ Klíč.slova quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0007551
Počet záznamů: 1