Počet záznamů: 1  

Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures

  1. 1.
    MAČKAL, A., HAZDRA, P., HULICIUS, E., PANGRÁC, J., MELICHAR, K. Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures. In: Workshop 2003. Praha: ČVUT, 2003, s. 446-447.

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.