Počet záznamů: 1
Active optical control of the terahertz reflectivity of high-resistivity semiconductors
- 1.
SYSNO ASEP 0029134 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Active optical control of the terahertz reflectivity of high-resistivity semiconductors Překlad názvu Aktivní optické řízení terahertzové odrazivosti Tvůrce(i) Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
Hlinka, Jaroslav (FZU-D)
Kužel, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kadlec, Filip (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Mounaix, P. (FR)Zdroj.dok. Optics Letters. - : Optical Society of America - ISSN 0146-9592
Roč. 30, č. 15 (2005), s. 1992-1994Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova semiconductor ; optoterahertz switch ; photocarriers ; antireflective Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech CEP 1ET300100401 GA AV ČR - Akademie věd KJB100100512 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) Anotace We study theoretically and demonstrate experimentally light-controllable terahertz reflectivity of high resistivity semiconductor wafers. Photocarriers created by interband light absorption form a thin conducting layer at the semiconductor surface, which allows the terahertz reflectivity of the element to be tuned between antireflective (R<3%) and highly reflective(R>85%) limits by means of the intensity and wave-length of the optical illumination Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2006
Počet záznamů: 1