- Active optical control of the terahertz reflectivity of high-resistiv…
Počet záznamů: 1  

Active optical control of the terahertz reflectivity of high-resistivity semiconductors

  1. 1.
    SYSNO ASEP0029134
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevActive optical control of the terahertz reflectivity of high-resistivity semiconductors
    Překlad názvuAktivní optické řízení terahertzové odrazivosti
    Tvůrce(i) Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
    Hlinka, Jaroslav (FZU-D)
    Kužel, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kadlec, Filip (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Mounaix, P. (FR)
    Zdroj.dok.Optics Letters. - : Optical Society of America - ISSN 0146-9592
    Roč. 30, č. 15 (2005), s. 1992-1994
    Poč.str.3 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovasemiconductor ; optoterahertz switch ; photocarriers ; antireflective
    Vědní obor RIVBL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
    CEP1ET300100401 GA AV ČR - Akademie věd
    KJB100100512 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceWe study theoretically and demonstrate experimentally light-controllable terahertz reflectivity of high resistivity semiconductor wafers. Photocarriers created by interband light absorption form a thin conducting layer at the semiconductor surface, which allows the terahertz reflectivity of the element to be tuned between antireflective (R<3%) and highly reflective(R>85%) limits by means of the intensity and wave-length of the optical illumination
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2006
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.