Počet záznamů: 1
Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE
SYS 0026669 LBL 02435^^^^^2200493^^^450 005 20200403122315.1 100 $a 20060130d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a CZ 200 1-
$a Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE 215 $a 4 s. 463 -1
$1 010 $a 80-214-2793-0 $1 200 1 $a NANO ´04 $v s. 278-281 $1 210 $a Brno $c Brno University of Technology $d 2004 $1 702 1 $a Šandera $b P. $4 340 541 1-
$a Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE $z cze 610 0-
$a semiconductor laser 610 0-
$a quantum well 610 0-
$a GaAs 610 0-
$a InAs 610 0-
$a XSTM 610 0-
$a TEM 610 0-
$a X-ray diffraction 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100427 $a Pacherová $b Oliva $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100449 $a Petříček $b Otto $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0042261 $a Chráska $b T. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0047083 $a Holý $b V. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0016379 $a Vávra $b I. $y SK $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0202976 $a Ouattara $b L. $y SE $4 070
Počet záznamů: 1
