Počet záznamů: 1
Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou
- 1.
SYSNO ASEP 0566394 Druh ASEP L - Prototyp, funkční vzorek Zařazení RIV G - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek) Poddruh RIV Funkční vzorek Název Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou Překlad názvu Si3Nx phase plates covered by conductive layer Tvůrce(i) Sháněl, O. (CZ)
Schneider, M. (CZ)
Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
Radlička, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAIRok vydání 2022 Int.kód APL-2022-15 Technické parametry Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu, která je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou. Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Z membrány je vytvořena fázová destička tím, že je v jejím středu udělaný otvor optimalizovaných rozměrů pomoci technologie fokusovaného iontového svazku. Tloušťka molybdenové vrstvy je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožňuje její umístění do zadní ohniskové roviny transmisního elektronového mikroskopu. Ekonomické parametry Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D. Název vlastníka Ústav přístrojové techniky, v. v. i., ThermoFisher Scientific Brno, a.s. IČ vlastníka 68081731 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Požad. na licenč. popl. Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek Číselná identifikace APL-2022-15 Jazyk dok. cze - čeština Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova transmission electron microscopy ; phase plate ; silicon nitride ; thin layers Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Electrical and electronic engineering CEP TN01000008 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 Anotace Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip. Membrána je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou jejíž tloušťka je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Ve středu membrány je vytvořený otvor pomoci technologie FIB/SEM, tak abychom zajistili, že nulový difrakční řád projde fázovou destičkou bez změny fáze. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožní umístění fázové destičky do zadní ohniskové roviny bez podpůrné platinové slonky. Překlad anotace Silicon nitride phase plate serves as a phase shift element for high-energy electrons. Silicon is a supporting substrate for a thin membrane, which is covered by a thin molybdenum layer with thickness optimized so that the final phase shift of the phase plate is pi/2. We made a micrometer size hole in the middle of the membrane with FIB/SEM technology to guarantee that the phase of zero-order diffraction is not changed. The functional sample also covers the modified aperture holder, which enables placing the phase plate to the back-focal plane of the transmission electron microscope without the supporting aperture. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2023
Počet záznamů: 1