Počet záznamů: 1
Spin flop and crystalline anisotropic magnetoresistance in CuMnAs
- 1.
SYSNO ASEP 0535300 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Spin flop and crystalline anisotropic magnetoresistance in CuMnAs Tvůrce(i) Wang, M. (GB)
Andrews, C. (GB)
Reimers, S. (GB)
Amin, O. J. (GB)
Wadley, P. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Poole, S. F. (GB)
Felton, J. (GB)
Edmonds, K. W. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)
Rushforth, A.W. (GB)
Makarovský, O. (GB)
Gas, K. (PL)
Sawicki, M. (PL)
Kriegner, Dominik (FZU-D) ORCID, RID
Zubáč, Jan (FZU-D) ORCID
Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Shahrokhvand, M. (NL)
Zeitler, U. (NL)
Dhesi, S.S. (GB)
Maccherozzi, F. (GB)Celkový počet autorů 23 Číslo článku 094429 Zdroj.dok. Physical Review B. - : American Physical Society - ISSN 2469-9950
Roč. 101, č. 9 (2020), s. 1-6Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova antiferromagnets ; spintronics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_013/0001405 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GX19-28375X GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000521073100004 EID SCOPUS 85083239874 DOI 10.1103/PhysRevB.101.094429 Anotace We report magnetic-field-induced rotation of the antiferromagnetic Neel vector in epitaxial CuMnAs thin films. First, using soft x-ray magnetic linear dichroism spectroscopy as well as magnetometry, we demonstrate spin-flop switching and continuous spin reorientation in films with uniaxial and biaxial magnetic anisotropies, respectively, for applied magnetic fields of the order of 2 T. The remnant antiferromagnetic domain configurations are determined using x-ray photoemission electron microscopy. Next, we show that the Neel vector reorientations are manifested in the longitudinal and transverse anisotropic magnetoresistance. Dependencies of the electrical resistance on the orientation of the Neel vector with respect to both the electrical current direction and the crystal symmetry are identified, including a weak fourth-order term evident at high magnetic fields. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.094429
Počet záznamů: 1