Počet záznamů: 1
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
- 1.
SYSNO 0502820 Název Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs Tvůrce(i) Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Jarý, Vítězslav (FZU-D) RID, ORCID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Ledoux, G. (FR)
Dujardin, C. (FR)
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAIKorespondující/senior Hubáček, Tomáš - Korespondující autor Zdroj.dok. CrystEngComm. Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362. - : Royal Society of Chemistry Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika 690599, XE - země EU Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova InGaN * MOVPE * QW number Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0294704 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0502820.pdf 4 1.7 MB Autorský postprint povolen
Počet záznamů: 1