Počet záznamů: 1
Channel engineering for nanotransistors in a semiempirical quantum transport model
- 1.
SYSNO ASEP 0501948 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Channel engineering for nanotransistors in a semiempirical quantum transport model Tvůrce(i) Wulf, U. (DE)
Kučera, Jan (FZU-D) RID, ORCID
Richter, H. (DE)
Horstmann, M. (DE)
Wiatr, M. (DE)
Höntschel, J. (DE)Celkový počet autorů 6 Číslo článku 68 Zdroj.dok. Mathematics. - : MDPI
Roč. 5, č. 4 (2017), s. 1-17Poč.str. 17 s. Forma vydání Online - E Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova nanotransistor ; channel engineering ; quantum transport ; contact-to-channel coupling ; wave function overlap ; tunneling current Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GB14-37427G GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000424138400022 EID SCOPUS 85035018287 DOI 10.3390/math5040068 Anotace One major concern of channel engineering in nanotransistors is the coupling of the conduction channel to the source/drain contacts. In a previous publications, we have developed a semiempirical quantum model in quantitative agreement with three series of experimental transistors. On the basis of this model, an overlap parameter 0 C 1 can be defined as a criterion for the quality of the contact-to-channel coupling: A high level of C means good matching between the wave functions in the source/drain and in the conduction channel associated with a low contact-to-channel reflection. We show that a high level of C leads to a high saturation current in the ON-state and a large slope of the transfer characteristic in the OFF-state.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1