Počet záznamů: 1
Silicon-vacancy centers in ultra-thin nanocrystalline diamond films
- 1.
SYSNO ASEP 0499763 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Silicon-vacancy centers in ultra-thin nanocrystalline diamond films Tvůrce(i) Stehlík, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Fait, Jan (FZU-D) ORCID
Artemenko, Anna (FZU-D) RID, ORCID
Glatzel, T. (CH)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 8 Číslo článku 281 Zdroj.dok. Micromachines. - : MDPI
Roč. 9, č. 6 (2018), s. 1-11Poč.str. 11 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova diamond ; color center ; nanocrystalline diamond ; silicon-vacancy center ; Kelvin probe force microscopy ; surface photovoltage Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GJ18-11711Y GA ČR - Grantová agentura ČR GJ16-09692Y GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000436506300027 EID SCOPUS 85048420735 DOI 10.3390/mi9060281 Anotace Here we report the optoelectronic investigation of shallow silicon vacancy (SiV) color centers in ultra-thin (7–40 nm) nanocrystalline diamond (NCD) films. We show that hydrogenated ultra-thin NCD films exhibit no or lowered SiV photoluminescence (PL) and relatively high negative surface photovoltage (SPV) which is ascribed to non-radiative electron transitions from SiV to surface-related traps. Higher SiV PL and low positive SPV of oxidized ultra-thin NCD films indicate an efficient excitation—emission PL process without significant electron escape, yet with some hole trapping in diamond surface states. Decreasing SPV magnitude and increasing SiV PL intensity with thickness, in both cases, is attributed to resonant energy transfer between shallow and bulk SiV. We also demonstrate that thermal treatments (annealing in air or in hydrogen gas), are also applicable to ultra-thin NCD films in terms of tuning their SiV PL and surface chemistry. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1