Počet záznamů: 1
Micro-Raman mapping of surface changes induced by XUV laser radiation in cadmium telluride
- 1.
SYSNO ASEP 0493487 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Micro-Raman mapping of surface changes induced by XUV laser radiation in cadmium telluride Tvůrce(i) Vozda, Vojtěch (FZU-D) ORCID
Burian, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Chalupský, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
Dědič, V. (CZ)
Hájková, Věra (FZU-D) RID, ORCID
Hlídek, P. (CZ)
Juha, Libor (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kozlová, Michaela (FZU-D) RID, ORCID
Krůs, Miroslav (FZU-D) RID
Kunc, J. (CZ)
Rejhon, M. (CZ)
Vyšín, Luděk (FZU-D) RID, ORCID
Rocca, J.J. (US)
Franc, J. (CZ)Celkový počet autorů 14 Zdroj.dok. Journal of Alloys and Compounds. - : Elsevier - ISSN 0925-8388
Roč. 763, Sep (2018), s. 662-669Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova semiconductors ; laser processing ; crystal structure ; impurities in semiconductors ; atomic force microscopy ; AFM ; luminescence Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech Obor OECD Fluids and plasma physics (including surface physics) CEP GA17-05167s GA ČR - Grantová agentura ČR LTT17015 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF15_008/0000162 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000442484300076 EID SCOPUS 85048198106 DOI 10.1016/j.jallcom.2018.05.332 Anotace A bulk sample of semi-insulating CdTe:In was exposed to single pulses of 21.2-nm radiation of Ne-like zinc plasma-based laser and 46.9-nm radiation of Ne-like argon capillary discharge laser. Irreversible changes induced by pure XUV laser radiation are studied and compared with action of continuous 532-nm high-power laser and IR pulses at 1320 nm. Modified surface is analyzed by optical and AF microscopy, micro-Raman imaging and low temperature photoluminescence. Noticeable amount of absorbed energy from the laser radiation is transferred into Te inclusions which are thermo-diffused and potentially evaporated from the surface layer surrounding the ablation imprint. Annealed CdTe lattice in these areas is detected via strong increase of Raman signal from longitudinal vibrations of the CdTe at 166 cm1. Low temperature photoluminescence measurements have shown that dislocations are generated in samples due to heating effects with IR radiation. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1