Počet záznamů: 1
Semiconducting WO.sub.3./sub. thin films prepared by pulsed reactive magnetron sputtering
- 1.
SYSNO ASEP 0454787 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Semiconducting WO3 thin films prepared by pulsed reactive magnetron sputtering Tvůrce(i) Brunclíková, M. (CZ)
Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kment, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kšírová, Petra (FZU-D) RID, ORCID
Krýsa, J. (CZ)Zdroj.dok. Research on Chemical Intermediates. - : Springer - ISSN 0922-6168
Roč. 41, č. 12 (2015), s. 9259-9266Poč.str. 8 s. Akce Pannonian Symposium on Catalysis /12./ Datum konání 16.09.2014 - 20.09.2014 Místo konání Třešť Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova WO3 ; water splitting ; HIPIMS ; photoanodes Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech CEP GAP108/12/2104 GA ČR - Grantová agentura ČR LH12043 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000365743300009 EID SCOPUS 84924692431 DOI 10.1007/s11164-015-1991-8 Anotace WO3 crystalline semiconductor thin films for water-splitting applications were prepared by pulsed unbalanced reactive magnetron sputtering with W target and Ar+O2 gas mixture. Postdeposition annealing at temperature of 450°C was applied to the WO3 samples to improve their crystallinity and semiconductor properties. Various pulsing modes were tested in deposition experiments with different pulsing frequencies, discharge power applied in pulse, and average applied power. To determine the influence of the plasma parameters on the deposition process, the pulsed and average ion flux density on the substrate were measured using an ion probe. Different crystallite orientations were found for different modes of discharge pulsing. Preferential orientation of the (200) plane parallel to the substrate surface was identified for higher frequency of discharge pulsing with lower substrate pulsed ion flux but higher average substrate ion flux. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1