Počet záznamů: 1  

MeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors

  1. 1.
    SYSNO0448239
    NázevMeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors
    Tvůrce(i) Calcagno, L. (IT)
    Musumeci, P. (IT)
    Cutroneo, M. (IT)
    Torrisi, L. (IT)
    La Via, F. (IT)
    Ullschmied, Jiří (FZU-D) RID
    Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. Vol. 508. Č. 012009. - Bristol : IOP Publishing, 2014
    Konference Plasma Physics by Laser and Applications 2013 Conference (PPLA2013), 02.10.2013-04.10.2013, Lecce
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant 284464, XE - země EU
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.GB
    Klíč.slova MeV ions * plasma * SiC detector * PALS
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0249986
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.