Počet záznamů: 1
MeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors
- 1.
SYSNO 0448239 Název MeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors Tvůrce(i) Calcagno, L. (IT)
Musumeci, P. (IT)
Cutroneo, M. (IT)
Torrisi, L. (IT)
La Via, F. (IT)
Ullschmied, Jiří (FZU-D) RIDZdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. Vol. 508. Č. 012009. - Bristol : IOP Publishing, 2014 Konference Plasma Physics by Laser and Applications 2013 Conference (PPLA2013), 02.10.2013-04.10.2013, Lecce Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant 284464, XE - země EU Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova MeV ions * plasma * SiC detector * PALS Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0249986
Počet záznamů: 1