Počet záznamů: 1
Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating ofAlGaNGaN high electron mobility transistors
- 1.
SYSNO ASEP 0391172 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Modeling of thermal stress induced during the diamond-coating ofAlGaNGaN high electron mobility transistors Tvůrce(i) Jirásek, Vít (FZU-D) RID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vanko, G. (SK)Zdroj.dok. Development of Materials Science in Research and Education, Book of Abstracts of the 22nd Joint Seminar. - Praha : Czechoslovak Association for Crystal Growth (CSACG), 2012 / Kožíšek Z. ; Nitsch K. - ISBN 978-80-260-2357-9
S. 32-32Poč.str. 1 s. Akce Joint Seminar – Development of materials science in research and education /22./ Datum konání 03.09.2012-07.09.2012 Místo konání Lednice Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova modeling ; thermal stress ; diamond Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace A thermally-induced stress during the microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition of a thin nanocrystalline diamond (NCD) films on GaN/AlGaN heterostructures and their subsequent cooling off was simulated in the CFD-ACE+ software. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1