Počet záznamů: 1
Schottky bariers on InP and GaN made by deposition of colloidal graphite and Pd, Pt or bimetal Pd/Pt nanoparticles for H2-gas detection
- 1.
SYSNO ASEP 0387460 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Schottky bariers on InP and GaN made by deposition of colloidal graphite and Pd, Pt or bimetal Pd/Pt nanoparticles for H2-gas detection Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCIDCelkový počet autorů 2 Zdroj.dok. Sensors and Actuators B - Chemical. - : Elsevier
Roč. 165, č. 1 (2012), s. 104-109Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova semiconductor devices ; nanostructures ; sensors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000302669600018 DOI 10.1016/j.snb.2012.02.023 Anotace Schottky barriers on III-V compound semiconductors are still not well explored up to now. There were already reported Pd and Pt Schottky diode gas sensors using InP or GaN materials. However, reported sensing performances are surprisingly different. Thus, proper understanding of sensing mechanism is indispensable. We report on InP and GaN Schottky diode hydrogen sensors with low-leakage currents and high sensitivity, made by deposition of colloidal graphite and electrophoresis of Pd, Pt nebo bimetal Pd/Pt nanoparticles. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1