Počet záznamů: 1
P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures
- 1.
SYSNO 0303823 Název P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Novotný, Jan (URE-Y)Zdroj.dok. DRIP IX - 9th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Program and abstracts. s. 36 Vyd. údaje [Parma]: [Instituto CNRMASPEC], 2001 Konference DRIP /9./, Rimini, 24.09.2001-28.09.2001 Druh akce Konference Druh dok. Abstrakt Grant GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074 GA AV ČR - Akademie věd KSK1010104 Projekt 04/01:4044 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Jazyk dok. eng Země vyd. IT Klíč.slova liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0114007
Počet záznamů: 1