Počet záznamů: 1
P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures
- 1.
SYSNO ASEP 0303823 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Novotný, Jan (URE-Y)Rok vydání 2001 Zdroj.dok. DRIP IX - 9th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Program and abstracts
s. 36Poč.str. 1 s. Akce DRIP /9./ Druh akce K - Konference Datum konání 24.09.2001-28.09.2001 Místo konání Rimini Země IT - Itálie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. IT - Itálie Klíč. slova liquid phase epitaxial growth ; rare earth metals ; semiconductor materials Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074 GA AV ČR - Akademie věd KSK1010104 Projekt 04/01:4044 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace InP single crystal layers were grown by LPE on semi-insulating InP with various rare earth elements added to the melt. The layers were characterized by temperature dependent Hall measurements and by low temperature photo-luminescence spectroscopy. P-type InP grown with Tb and Yb admixture was studied. The dominant acceptor in the case of Tb was identified as Mn on the In site. In the case of Yb the dominant acceptor was identified as isoelectronic Yb in In site with strong electron-lattice interaction. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1