Počet záznamů: 1  

P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures

  1. 1.
    SYSNO ASEP0303823
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevP-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures
    Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
    Procházková, Olga (URE-Y)
    Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
    Novotný, Jan (URE-Y)
    Rok vydání2001
    Zdroj.dok.DRIP IX - 9th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Program and abstracts
    s. 36
    Poč.str.1 s.
    AkceDRIP /9./
    Druh akceK - Konference
    Datum konání24.09.2001-28.09.2001
    Místo konáníRimini
    ZeměIT - Itálie
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.IT - Itálie
    Klíč. slovaliquid phase epitaxial growth ; rare earth metals ; semiconductor materials
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPGA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR
    KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074 GA AV ČR - Akademie věd
    KSK1010104 Projekt 04/01:4044 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    AnotaceInP single crystal layers were grown by LPE on semi-insulating InP with various rare earth elements added to the melt. The layers were characterized by temperature dependent Hall measurements and by low temperature photo-luminescence spectroscopy. P-type InP grown with Tb and Yb admixture was studied. The dominant acceptor in the case of Tb was identified as Mn on the In site. In the case of Yb the dominant acceptor was identified as isoelectronic Yb in In site with strong electron-lattice interaction.
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2002

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.