Počet záznamů: 1  

Strong Be−N Interaction Induced Complementary Chemical Tuning to Design a Dual-gated Single Molecule Junction

  1. 1.
    SYSNO0574915
    NázevStrong Be−N Interaction Induced Complementary Chemical Tuning to Design a Dual-gated Single Molecule Junction
    Tvůrce(i) Sutradhar, D. (IN)
    Sarmah, Amrit (UOCHB-X) [610/61] ORCID
    Hobza, Pavel (UOCHB-X) [610/61] RID, ORCID
    Chandra, A. K. (IN)
    Korespondující/seniorSarmah, Amrit - Korespondující autor
    Chandra, A. K. - Korespondující autor
    Zdroj.dok. Chemistry - A European Journal. Roč. 29, č. 52 (2023). - : Wiley
    Číslo článkue202301473
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GX19-27454X GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
    Institucionální podporaUOCHB-X - RVO:61388963
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.DE
    Klíč.slova beryllium bond * molecular electronics * π-hole * single-molecule junction * supramolecular chemistry
    Spolupracující instituce Univerzita Palackého v Olomouci (Česká republika)
    URLhttps://doi.org/10.1002/chem.202301473
    Trvalý linkhttps://hdl.handle.net/11104/0344841
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.