Počet záznamů: 1  

Effect of Auger recombination on transient optical properties in XUV and soft X-ray irradiated silicon nitride

  1. 1.
    SYSNO ASEP0545328
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevEffect of Auger recombination on transient optical properties in XUV and soft X-ray irradiated silicon nitride
    Tvůrce(i) Tkachenko, V. (DE)
    Lipp, V. (DE)
    Buescher, M. (DE)
    Capotondi, F. (IT)
    Hoeppner, H. (DE)
    Medvedev, Nikita (FZU-D) ORCID, RID
    Pedersoli, E. (IT)
    Prandolini, M.J. (DE)
    Rossi, G.M. (DE)
    Tavella, F. (US)
    Toleikis, S. (DE)
    Windeler, M. (US)
    Ziaja, B. (PL)
    Teubner, U. (DE)
    Celkový počet autorů14
    Číslo článku5203
    Zdroj.dok.Scientific Reports. - : Nature Publishing Group - ISSN 2045-2322
    Roč. 11, č. 1 (2021)
    Poč.str.10 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovatemporal diagnostics of FEL pulses ; optical properties of silicon nitride irradiated by XUV and soft X-ray
    Vědní obor RIVBH - Optika, masery a lasery
    Obor OECDFluids and plasma physics (including surface physics)
    CEPLTT17015 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000626140000031
    EID SCOPUS85102084539
    DOI10.1038/s41598-021-84677-w
    AnotaceSpatially encoded measurements of transient optical transmissivity became a standard tool for temporal diagnostics of free-electron-laser (FEL) pulses, as well as for the arrival time measurements in X-ray pump and optical probe experiments. The modern experimental techniques can measure changes in optical coefficients with a temporal resolution better than 10 fs. Carrier transport within the material and out of its significantly decrease the number of carriers. This would strongly affect the transient optical properties, making the diagnostic measurement inaccurate. We analyze in detail the effects of those processes on the optical properties of XUV and soft X-ray irradiated Si3N4, on sub-picosecond timescales. Theoretical predictions are compared with the published results of two experiments at FERMI and LCLS facilities, and with our own recent measurement.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2022
    Elektronická adresahttp://hdl.handle.net/11104/0322052
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.