Počet záznamů: 1
Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers
- 1.
SYSNO 0541744 Název Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers Tvůrce(i) Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
Lambert, Nicolas (FZU-D) ORCID, RID
Gedeonová, Zuzana (FZU-D) ORCID
Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
Lorinčík, J. (CZ)
Klimša, Ladislav (FZU-D) ORCID
Kopeček, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Šobáň, Zbyněk (FZU-D) RID, ORCID
Laposa, A. (CZ)
Davydova, Marina (FZU-D) RID, ORCID
Voves, J. (CZ)
Pošta, A. (CZ)
Povolný, V. (CZ)
Hazdra, P. (CZ)Korespondující/senior Mortet, Vincent - Korespondující autor Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Roč. 111, Jan (2021). - : Elsevier Číslo článku 108223 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA20-11140S GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika GA17-05259S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. CH Klíč.slova boron-doped diamond * electrical properties * (113) oriented epitaxial diamond URL https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0319277
Počet záznamů: 1