Počet záznamů: 1
Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers
- 1.
SYSNO ASEP 0541744 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers Tvůrce(i) Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
Lambert, Nicolas (FZU-D) ORCID, RID
Gedeonová, Zuzana (FZU-D) ORCID
Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
Lorinčík, J. (CZ)
Klimša, Ladislav (FZU-D) ORCID
Kopeček, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Šobáň, Zbyněk (FZU-D) RID, ORCID
Laposa, A. (CZ)
Davydova, Marina (FZU-D) RID, ORCID
Voves, J. (CZ)
Pošta, A. (CZ)
Povolný, V. (CZ)
Hazdra, P. (CZ)Celkový počet autorů 16 Číslo článku 108223 Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-9635
Roč. 111, Jan (2021)Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova boron-doped diamond ; electrical properties ; (113) oriented epitaxial diamond Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA20-11140S GA ČR - Grantová agentura ČR GA17-05259S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000612811800009 EID SCOPUS 85097893923 DOI 10.1016/j.diamond.2020.108223 Anotace Recent works indicate that boron-doped and phosphorous-doped diamond can be grown on atomically stepped (113) surfaces (A. Tallaire et al., 2016, M.-A. Pinault-Thaury et al., 2019), however the electrical properties of these layers have not been studied in detail. In this work, we report on structural and electrical properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (113) substrates. Properties of the diamond layers have been investigated by means of scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall effect, secondary ion mass spectrometry and Raman spectroscopy. Our results show that boron-doped diamond layers can be grown on (113) substrates at high deposition rates with atomically flat surfaces, excellent electrical properties and high boron incorporation efficiency. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223
Počet záznamů: 1