Počet záznamů: 1
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures
- 1.
SYSNO ASEP 0522076 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Humlíček, J. (CZ)
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Cibulka, Ondřej (FZU-D) RID
Herynková, Kateřina (FZU-D) RIDCelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./. - Ostrava : Tanger Ltd., 2019 / Shrbená J. - ISBN 978-80-87294-89-5 Rozsah stran s. 30-35 Poč.str. 5 s. Forma vydání Tištěná - P Akce NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./ Datum konání 17.10.2018 - 19.10.2018 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova GaN ; MOVPE ; HEMT Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP TH02010014 GA TA ČR - Technologická agentura ČR LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000513131900004 EID SCOPUS 85063000843 Anotace GaN/AlGaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) attain better performance than their state-of-the-art full silicon-based counterparts do, offering higher power, higher frequency as well as higher temperature of operation and stability, although their voltage and current limits are somewhat lower than for the SiC-based HEMTs. GaN/AlGaN-based HEMTs are a potential choice for electric-powered vehicles, for which they are approved not only for their power parameters, but also for their good temperature stability, lifetime and reliability. It is important to optimize HEMT structures and their growth parameters to reach the optimum function for the real-world applications. HEMT structures were grown by MOVPE technology in AIXTRON apparatus on (111)-oriented single-surface polished Si substrates. Structural, optical and transport properties of the structures were measured by X-ray diffraction, optical reflectivity, time-resolved photoluminescence and micro-Raman spectroscopy.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1