Počet záznamů: 1
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures
SYS 0522076 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103223725.3 014 $a 85063000843 $2 SCOPUS 014 $a 000513131900004 $2 WOS 017 $2 DOI 100 $a 20200212d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a CZ 200 1-
$a MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures 215 $a 5 s. $c P 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0522080 $1 010 $a 978-80-87294-89-5 $1 200 1 $a NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./ $v S. 30-35 $1 210 $a Ostrava $c Tanger Ltd. $d 2019 $1 702 1 $a Shrbená $b J. $4 340 610 $a GaN 610 $a MOVPE 610 $a HEMT 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $p FZU-D $i Dielektrika $j Dielectrics $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0037178 $a Humlíček $b J. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0100444 $a Pelant $b Ivan $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0216616 $a Cibulka $b Ondřej $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0245538 $a Herynková $b Kateřina $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1