Počet záznamů: 1
Electrical and optical characteristics of boron doped nanocrystalline diamond films
- 1.
SYSNO ASEP 0511026 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Electrical and optical characteristics of boron doped nanocrystalline diamond films Tvůrce(i) Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
Ashcheulov, Petr (FZU-D) ORCID, RID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Volodin, V.A. (RU)Celkový počet autorů 7 Číslo článku 108813 Zdroj.dok. Vacuum. - : Elsevier - ISSN 0042-207X
Roč. 168, Oct (2019), s. 1-4Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova Raman spectroscopy ; boron doped diamond ; photothermal deflection spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA17-05259S GA ČR - Grantová agentura ČR Fellowship J. E. Purkyně GA AV ČR - Akademie věd Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000490044200006 EID SCOPUS 85069544376 DOI 10.1016/j.vacuum.2019.108813 Anotace Boron doped diamond is a prospective material which can be used as a conductive and optically transparent thin-film electrode in a variety of optoelectronic applications. In this work, we present the results of the temperature resolved electrical conductivity, optical reflection, transmission and absorption of thin boron doped nanocrystalline diamond films grown by a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition. Optical transmittance, reflectance and absorptance properties of layers were studied by a photo-thermal deflection spectroscopy analysis. Raman spectroscopy with various excitation wavelengths was employed for the analysis of nanocrystalline diamond layers. The measured position, shift and broadening of the characteristic boron doped diamond Raman lines were used for the determination of the boron concentration. Correlation between the results of the atomic boron concentration estimated via the Raman analysis and measured electrical conductivity values is presented.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.108813
Počet záznamů: 1