Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0505794
Název	Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
Tvůrce(i)	Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Vetushka, Aliaksi (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Hospodková, Alice - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250. - : Elsevier
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	690599, XE - země EU
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN quantum wells * GaN buffer layer * scintillators
URL	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0297183

	Název souboru	Staženo	Velikost	Komentář	Verze	Přístup
	0505794.pdf	5	1.1 MB		Autorský postprint	povolen

Počet záznamů: 1