Počet záznamů: 1
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
- 1.
SYSNO ASEP 0505794 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties Tvůrce(i) Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 8 Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova low dimensional structures ; V-pits ; metalorganic vapor phase epitaxy ; InGaN/GaN quantum wells ; GaN buffer layer ; scintillators Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000455667500041 EID SCOPUS 85057497030 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025 Anotace Although InGaN layers or InGaN/GaN superlattices are commonly used as efficiency improving buffers for LED structure production, there is still a controversy and active discussion about the mechanisms improving the luminescence properties of InGaN QWs grown above such buffers. In this manuscript it is shown that presence of In in the buffer layer is not the primary reason for photoluminescence improvement which can be also achieved by introduction of GaN buffer layer grown at lower temperature under nitrogen atmosphere. SIMS analysis suggests that low temperature buffer layer does not influence the impurity incorporation and hence the PL improvement is caused by suppressed contamination of MQW region grown above the low temperature buffer. AFM images for two samples that differ mostly in morphology however supports another explanation in which formation of larger V-pits is the main reason for the luminescence improvement. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Počet záznamů: 1