Počet záznamů: 1  

Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties

  1. SYS0505794
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103222154.0
    014
      
    $a 85057497030 $2 SCOPUS
    014
      
    $a 000455667500041 $2 WOS
    017
    70
    $a 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025 $2 DOI
    100
      
    $a 20190624d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a NL
    200
    1-
    $a Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
    215
      
    $a 5 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250 $1 210 $c Elsevier
    608
      
    $a Article
    608
      
    $a Proceedings Paper
    610
      
    $a low dimensional structures
    610
      
    $a V-pits
    610
      
    $a metalorganic vapor phase epitaxy
    610
      
    $a InGaN/GaN quantum wells
    610
      
    $a GaN buffer layer
    610
      
    $a scintillators
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $p FZU-D $i Dielektrika $j Dielectrics $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0240734 $a Vetushka $b Aliaksi $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $y CZ $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    856
      
    $9 RIV $u https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.