Počet záznamů: 1
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
- 1.DOMINEC, F., HOSPODKOVÁ, A., HUBÁČEK, T., ZÍKOVÁ, M., PANGRÁC, J., KULDOVÁ, K., VETUSHKA, A., HULICIUS, E. Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties. Journal of Crystal Growth. 2019, 507(Feb), 246-250. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025.
Počet záznamů: 1