Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0502374
Název	Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Tvůrce(i)	Hájek, František (FZU-D)_ORCID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)_ORCID
Zdroj.dok.	Proceedings of the 8th Student scientific conference of solid state engineering and materials. S. 42-45. - Praha : České vysoké učení technické v Praze, 2018 / Dragounová K. ; Koubský T. ; Kalvoda L. ; Čapek J. ; Trojan K. ; Kolenko P.
Konference	Student scientific conference of solid state engineering and materials /8./, 17.09.2018 - 21.09.2018, Sedliště
Druh dok.	Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CZ
Klíč.slova	nitrides * quantum wells * luminescence * semiconductor doping
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0294317

Počet záznamů: 1