Počet záznamů: 1  

Novel approaches to LPE preparation of InP-based semiconductor layers

  1. 1.
    SYSNO ASEP0303825
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevNovel approaches to LPE preparation of InP-based semiconductor layers
    Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
    Procházková, Olga (URE-Y)
    Žďánský, Karel (URE-Y)
    Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
    Rok vydání2001
    ISBN80-85330-90-3
    Zdroj.dok.DMS-RE 2001 Development of Materials Science in Research and Education / Koman M. ; Mikloš D.
    s. 41-42
    Poč.str.2 s.
    AkceDevelopment of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2001 /11./
    Druh akceK - Konference
    Datum konání09.09.2001-13.09.2001
    Místo konáníKežmarské Žĺaby
    ZeměSK - Slovensko
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovaliquid phase epitaxial growth ; rare earth compounds ; III-V semiconductors
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPGA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR
    KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    AnotaceInP-based semiconductor materials belong to promising candidates for the application in ionising radiation detectors. To take advantage of the suitable properties of InP, it is necessary to prepare high quality detector structures. Attention was paid to several modifications of LPE technique that allow us to grow structurally perfect layers with a low density of dislocations - Epitaxial layer overgrowth, Remelt liquid phase epitaxy, LPE with rare-earth elements in the growth melt.
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2002

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.