Počet záznamů: 1
Novel approaches to LPE preparation of InP-based semiconductor layers
- 1.
SYSNO ASEP 0303825 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Novel approaches to LPE preparation of InP-based semiconductor layers Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RIDRok vydání 2001 ISBN 80-85330-90-3 Zdroj.dok. DMS-RE 2001 Development of Materials Science in Research and Education / Koman M. ; Mikloš D.
s. 41-42Poč.str. 2 s. Akce Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2001 /11./ Druh akce K - Konference Datum konání 09.09.2001-13.09.2001 Místo konání Kežmarské Žĺaby Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova liquid phase epitaxial growth ; rare earth compounds ; III-V semiconductors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace InP-based semiconductor materials belong to promising candidates for the application in ionising radiation detectors. To take advantage of the suitable properties of InP, it is necessary to prepare high quality detector structures. Attention was paid to several modifications of LPE technique that allow us to grow structurally perfect layers with a low density of dislocations - Epitaxial layer overgrowth, Remelt liquid phase epitaxy, LPE with rare-earth elements in the growth melt. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1