Počet záznamů: 1
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0085194 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE Překlad názvu Laterální tvar InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách připravených pomocí MOVPE Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Křápek, V. (CZ)
Mates, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Melichar, Karel (FZU-D)
Humlíček, J. (CZ)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 298, - (2007), s. 570-573Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova nanostructures ; MOVPE ; arsenides ; semiconducting III-V materials Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KJB101630601 GA AV ČR - Akademie věd GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/05/0242 GA ČR - Grantová agentura ČR LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace We studied shape of quantum dots in vertically correlated quantum dots where several layers of QDs (VCQDs) were grown. We try to expain the mechanism of changing lateral shape of VCQDs Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1