Počet záznamů: 1
The Dopant Contrast – A Challenge to Electron Microscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0049009 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název The Dopant Contrast – A Challenge to Electron Microscopy Překlad názvu Kontrast dopantu – otázka pro elektronovou mikroskopii Tvůrce(i) Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID Zdroj.dok. Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. - Brno : ISI AS CR, 2006 / Müllerová I. - ISBN 80-239-6285-X Rozsah stran s. 19-22 Poč.str. 4 s. Akce Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /10./ Datum konání 22.05.2006-26.05.2006 Místo konání Skalský dvůr Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova dopant contrast ; SEM ; PEEM ; cathode lens mode Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA202/04/0281 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace Results obtained when imaging doped areas in silicon by means of various electron microscopical methods are reviewed. These include secondary electron imaging in the conventional SEM and SEM equipped with the cathode lens, imaging with very slow backscattered electrons by means of the cathode lens, and imaging in a photoelectron emission microscope. It is suggested that important role in the contrast formation plays local differences in the absorption of excited hot electrons on their trajectories toward surface. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2007
Počet záznamů: 1