Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0558906
Název	Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
Tvůrce(i)	Vaněk, Tomáš (FZU-D)_ORCID Jarý, Vítězslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Hájek, František (FZU-D)_ORCID Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Gedeonová, Zuzana (FZU-D)_ORCID Babin, Vladimir (FZU-D)_{RID, ORCID} Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID} Buryi, Maksym (FZU-D)_{RID, ORCID}
Korespondující/senior	Vaněk, Tomáš - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Journal of Alloys and Compounds. Roč. 914, Sep (2022). - : Elsevier
Číslo článku	165255
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GJ20-05497Y GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	semiconductors * nitride materials * vapor deposition * optical properties * luminescence
URL	https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165255
Trvalý link	https://hdl.handle.net/11104/0332401

Počet záznamů: 1