Počet záznamů: 1
Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
- 1.Vaněk, T., Jarý, V., Hubáček, T., Hájek, F., Kuldová, K., Gedeonová, Z., Babin, V., Remeš, Z., Buryi, M. Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping. Journal of Alloys and Compounds. 2022, 914(Sep), 165255. ISSN 0925-8388. E-ISSN 1873-4669. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jallcom.2022.165255.
Počet záznamů: 1