Počet záznamů: 1
Detachment of epitaxial graphene from SiC substrate by XUV laser radiation
- 1.
SYSNO 0541068 Název Detachment of epitaxial graphene from SiC substrate by XUV laser radiation Tvůrce(i) Vozda, V. (CZ)
Medvedev, Nikita (UFP-V) [LP] ORCID
Chalupský, J. (CZ)
Čechal, J. (CZ)
Burian, Tomáš (UFP-V) [LP] ORCID
Hájková, V. (CZ)
Juha, Libor (UFP-V) [LP] ORCID
Krůs, Miroslav (UFP-V) [LP] RID
Kunc, J. (CZ)Zdroj.dok. Carbon. Roč. 161, May (2020), s. 36-43. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LTT17015 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015083 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora UFP-V - RVO:61389021 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova radiation * XUV laser * epitaxial graphene Spolupracující instituce Charles University (Česká republika)
Středoevropský technologický institut (Česká republika)URL https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0008622320300282?via%3Dihub Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0318648
Počet záznamů: 1