Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0533199
Název	Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
Tvůrce(i)	Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)_ORCID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Čížek, J. (CZ) Liedke, M.O. (DE) Butterilng, M. (DE) Wagner, A. (DE) Hubík, Pavel (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Hubáček, Tomáš - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. Roč. 531, Feb (2020), s. 1-7. - : Elsevier
Číslo článku	125383
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	TH02010014 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	MOVPE * TEGa precursor * n-GaN * yellow band * V.sub.Ga.-sub. defect
URL	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125383
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0311664

Počet záznamů: 1