Počet záznamů: 1
Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
- 1.
SYSNO ASEP 0533199 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor Tvůrce(i) Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D) ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Čížek, J. (CZ)
Liedke, M.O. (DE)
Butterilng, M. (DE)
Wagner, A. (DE)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 11 Číslo článku 125383 Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 531, Feb (2020), s. 1-7Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova MOVPE ; TEGa precursor ; n-GaN ; yellow band ; V.sub.Ga.-sub. defect Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP TH02010014 GA TA ČR - Technologická agentura ČR LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000504205900023 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2019.125383 Anotace The aim of this work is to compare and improve optical and structural properties of GaN layers prepared using TMGa or TEGa precursors. These layers contain deep and shallow acceptor levels which are responsible for blue and yellow defect bands in luminescent spectra. Especially n-doped GaN layers suffer from strong yellow defect bands. In this work, it is shown that yellow band photoluminescence intensity can be suppressed by using TEGa precursor during the growth of n–doped GaN layers. Different kinds of growth parameters have been studied. It is also shown that the change of carrier gas (H2 or N2) has very strong influence on the layer quality. H2 carrier gas increased intensity of yellow band in sample grown from TEGa precursor while N2 carrier gas had the same effect for sample grown from TMGa precursor. Variable energy positron annihilation spectroscopy showed creation of single VGa in H2 atmosphere and clustering of VGa to big complexes ((VGa)3(VN)n) in N2 atmosphere. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125383
Počet záznamů: 1