Počet záznamů: 1
Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
SYS 0533199 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103224541.8 014 $a 000504205900023 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jcrysgro.2019.125383 $2 DOI 100 $a 20201019d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a NL 200 1-
$a Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor 215 $a 7 s. 300 $a není scopus 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 531, Feb (2020), s. 1-7 $1 210 $c Elsevier 610 $a MOVPE 610 $a TEGa precursor 610 $a n-GaN 610 $a yellow band 610 $a V.sub.Ga.-sub. defect 700 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0373224 $a Slavická Zíková $b Markéta $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0038043 $a Čížek $b J. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0356265 $a Liedke $b M.O. $y DE 701 -1
$3 cav_un_auth*0397671 $a Butterilng $b M. $y DE 701 -1
$3 cav_un_auth*0248926 $a Wagner $b A. $y DE 701 -1
$3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $u https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125383 $9 RIV
Počet záznamů: 1