Počet záznamů: 1
Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
- 1.Hubáček, T., Hospodková, A., Kuldová, K., Slavická Zíková, M., Pangrác, J., Čížek, J., Liedke, M.O., Butterilng, M., Wagner, A., Hubík, P., Hulicius, E. Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor. Journal of Crystal Growth. 2020, 531(Feb), 1-7), 125383. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125383.
Počet záznamů: 1