Počet záznamů: 1
Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
- 1.HUBÁČEK, T., HOSPODKOVÁ, A., KULDOVÁ, K., SLAVICKÁ ZÍKOVÁ, M., PANGRÁC, J., ČÍŽEK, J., LIEDKE, M.O., BUTTERILNG, M., WAGNER, A., HUBÍK, P., HULICIUS, E. Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor. Journal of Crystal Growth. 2020, 531(Feb), 1-7), 125383. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125383.
Počet záznamů: 1