Počet záznamů: 1
Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
- 1.HUBÁČEK, Tomáš, HOSPODKOVÁ, Alice, KULDOVÁ, Karla, SLAVICKÁ ZÍKOVÁ, Markéta, PANGRÁC, Jiří, ČÍŽEK, J., LIEDKE, M.O., BUTTERILNG, M., WAGNER, A., HUBÍK, Pavel, HULICIUS, Eduard. Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor. Journal of Crystal Growth. 2020, 531(Feb), 1-7), 125383. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125383.
Počet záznamů: 1