Počet záznamů: 1
Ytterbium silicide nanostructures prepared by pulsed laser ablation in oven: Structural and electrical characterization.
- 1.
SYSNO ASEP 0504351 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ytterbium silicide nanostructures prepared by pulsed laser ablation in oven: Structural and electrical characterization. Tvůrce(i) Dřínek, Vladislav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Klementová, Mariana (FZU-D) RID, ORCID
Palatinus, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Jarošová, Markéta (FZU-D) RID, ORCID
Lugstein, A. (AT)
Sistani, M. (AT)
Koštejn, Martin (UCHP-M) RID, SAI, ORCID
Jandová, Věra (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Materials Letters. - : ELSEVIER SCIENCE BV - ISSN 0167-577X
Roč. 246, JUL 1 (2019), s. 17-19Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova metals and alloys ; particles ; nanosize Vědní obor RIV CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie Obor OECD Physical chemistry Vědní obor RIV – spolupráce Fyzikální ústav - Fyzika pevných látek a magnetismus Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora UCHP-M - RVO:67985858 ; FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000462761700005 EID SCOPUS 85062870704 DOI 10.1016/j.matlet.2019.03.032 Anotace Ytterbium silicide nanoobjects were synthetized using pulsed laser ablation in an oven at temperatures of 800 and 1000 °C. Ablation of divided target Si/Yb in a flow of Ar resulted in deposits which contained mostly ytterbium silicide nanowires, nanorods and nanoparticles. Single nanoparticles (800 °C) are identical with Yb 3 Si 5 alloy, nanorods possess both a monoclinic phase not corresponding to any known structure in the phase diagram Yb-Si and a face-centered cubic structure close to the pure Yb but with a high Si content. At the temperature of 1000 °C, the studied nanorods and nanowires decorated by nanocrystals are practically amorphous, whereas the structure of those nanocrystals is close to that of the nanorods with the face-centered cubic structure prepared at 800 °C. Nanowire (1000 °C) is a semiconductor with ρ = 132.9 Ω.cm at room temperature, which is comparable to a heavily doped silicon. Pracoviště Ústav chemických procesů Kontakt Eva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227 Rok sběru 2020 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0296006
Počet záznamů: 1