Počet záznamů: 1
Influence of substrate material on spectral properties and thermal quenching of photoluminescence of silicon vacancy colour centres in diamond thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0481233 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Influence of substrate material on spectral properties and thermal quenching of photoluminescence of silicon vacancy colour centres in diamond thin films Tvůrce(i) Dragounová, Kateřina (FZU-D) ORCID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Potůček, Z. (CZ)
Bryknar, Z. (CZ)
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. - : Slovenská technická univerzita v Bratislave - ISSN 1335-3632
Roč. 68, č. 7 (2017), s. 3-9Poč.str. 7 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova diamond ; Si-V centre ; photoluminescence ; microwave-plasma enhanced CVD ; activation energy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LD15003 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA14-04790S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000423262300002 EID SCOPUS 85040813214 DOI 10.1515/jee-2017-0048 Anotace Nanocrystalline diamond films with bright photoluminescence of silicon-vacancy colour centres have been grown using a microwave plasma enhanced CVD technique. The influence of substrate material (quartz, Al2O3 , Mo and Si) on a reproducible fabrication of diamond thin films with Si-V optical centres is presented. Film quality and morphology are characterized by Raman spectroscopy and SEM technique. SEM shows well faceted diamond grains with sizes from 170 to 300 nm. The diamond peak is confirmed in Raman spectra for all samples. In the case of the quartz substrate, a redshift of the diamond peak is observed (≈ 3.5 cm−1 ) due to tension in the diamond film. Activation energies for the thermal quenching of Si-V centre photoluminescence were determined and the effect of the substrate on photoluminescence properties is discussed too. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1