Počet záznamů: 1
Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN
- 1.
SYSNO ASEP 0374734 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Study of Schottky Barriers Prepared by Deposition of Colloidal Graphite and Pt Nanoparticles on InP and GaN Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCIDCelkový počet autorů 2 Zdroj.dok. INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS (ICTON, 13. - NEW YORK : IEEE, 2011 / Jaworski M. ; Marciniak M. - ISBN 978-1-4577-0880-0 Rozsah stran c651-c654 Poč.str. 4 s. Akce 13th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON) Datum konání 26.06.2011-30.06.2011 Místo konání Stockholm Země SE - Švédsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova semiconductor devices ; nanostructures ; sensors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000297859300068 EID SCOPUS 80155183264 DOI 10.1109/ICTON.2011.5970831 Anotace Schottky barriers were prepared by deposition of colloidal graphite on polished surfaces of InP or GaN single crystals. sparsely covered with Pt nanoparticles deposited electrophoretically. Diodes with the Schottky barriers were studied by current voltage characteristics. The diodes showed high rectification ratio and high Schottky barrier heights indicating negligible Fermi level pinning. By testing with gas consisting of 0.1 % of hydrogen and rest nitrogen, the current showed high sensitivity to hydrogen. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1